Dissertation: Zeitaufgelöste Charakterisierung und Modellierung von Degradationsmechanismen in Leistungstransistoren
vor 2 Wochen
Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si-Technologieentwicklung Aufbau und Erweiterung einer Gate-Spannung - Drain-Strom-Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si-Transistors innerhalb 100ns Bewertung von Technologie- und Prozessänderungen von Si-Trench-Leistungstransistoren Modellierung der Änderung der Einsatzspannung für beliebige Belastungsprofile mittels Forschungsthemen: Infineon Technologies Austria in Villach entwickelt Leistungstransistoren auf Basis von Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Silicium (Si). Die Si-Trench-Transistoren erfüllen bereits die Anforderungen an Zuverlässigkeit für bestehende Anwendungen. Um jedoch neue Märkte zu erschließen, ist es entscheidend, die Alterung dieser Transistoren besser zu verstehen. Besonders Anforderungen, in denen die Transistoren unter extremen Bedingungen eingesetzt werden, erfordern ein tieferes Verständnis der Degradationsprozesse, um die Lebensdauer präziser bestimmen zu können. Aktuell wird die Lebensdauer in DC-Belastungstests überprüft, obwohl die Applikationsbelastung bei etwa 100 kHz liegt. Es ist daher notwendig zu validieren, ob die mikrophysikalischen Prozesse, die bei AC-Belastung auftreten, denjenigen bei DC-Belastung entsprechen. Zu diesem Zweck soll eine Messschaltung auf Wafer-Ebene verwendet und weiterentwickelt werden, um AC- und DC-Belastungen mit einer Zeitauflösung von ca. 100 ns zu ermöglichen. Dadurch kann der gesamte Frequenzbereich gründlich untersucht werden.
Unser universitärer Partner für diese Arbeit ist die TU Wien, mit Prof. Michael Waltl (Institut für Mikroelektronik der TU Wien), der die Betreuung übernimmt.
Beginn: (oder später)
Vollzeitbeschäftigung: Std/Woche
Dauer: 3 JahrePromovierende bei Infineon sind Forschungsenthusiasten,
Interesse die wissenschaftliche Forschung in Verbindung mit der Leidenschaft für die innovativen Produkte und Anwendungen von Infineon ist,
gerne in Kombination mit einer Infineon-Partnerhochschule in einem industriellen Umfeld arbeiten,
eine offene Kommunikation und den Beitrag eines internationalen Umfelds schätzen,
die damit ausgezeichnete Kandidatinnen/Kandidaten für eine weitere akademische oder industrielle Karriere nach Abschluss der Dissertation sind.
Als ideale Kandidatin / idealer Kandidat bringen Sie mit: Ein abgeschlossenes Masterstudium in Physik, Elektrotechnik oder einer vergleichbaren Fachrichtung Erfahrung auf mindestens einem der folgenden Gebiete: Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Messtechnik und Datenauswertung Analytische Fähigkeiten, Kreativität und die Bereitschaft zum interdisziplinären Arbeiten Eine ausgeprägte Eigeninitiative und Einsatzbereitschaft Sehr gute Kommunikationsfähigkeiten auf Deutsch und Englisch Bitte fügen Sie der Bewerbung die folgenden Dokumente bei: Ihr Lebenslauf Motivationsschreiben Kopie Ihres Masterabschlusses, falls bereits vorhanden Ansonsten: Kopie Ihres letzten Studienzeugnisses Diese Position unterliegt dem KV für Arbeiter und Angestellte der EEI
( Das Gehalt für diese Stelle beträgt EUR ,00 brutto (Vollzeitbasis).
Benefits
Coaching, mentoring networking possibilities Wide range of training offers & planning of career development International assignments Different career paths: Project Management, Technical Ladder, Management & Individual Contributor Flexible working conditions Home office options Part-time work possible (also during parental leave) Sabbatical Child care in Villach & Klagenfurt On-site social counselling and works doctor Health promotion programs On-site canteen Private insurance offers Wage payment in case of sick leave Corporate pension benefits Flexible transition into retirement Performance bonus Accessibility, access for wheelchairs-
Villach, Kärnten, Österreich Infineon Technologies VollzeitIhre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si-TechnologieentwicklungAufbau und Erweiterung einer Gate-Spannung - Drain-Strom-Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si-Transistors innerhalb 100nsBewertung von Technologie- und Prozessänderungen von Si-Trench-LeistungstransistorenModellierung der...
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Dissertation: Zeitaufgelöste Charakterisierung Und
vor 2 Wochen
Villach, Kärnten, Österreich Infineon Technologies VollzeitAn einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professor*innen als auch durch engagierte...
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Dissertation: Charakterisierung Von
vor 2 Wochen
Villach, Kärnten, Österreich Infineon Technologies VollzeitAn einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professor*innen als auch durch engagierte...
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Villach, Kärnten, Österreich Infineon Technologies VollzeitIhre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:Einschulung in Halbleiterphysik, GaN, SiC, und Si-TechnologieentwicklungVerbesserung des bestehenden Aufbaus für "wafer-level dynamic high-temperature operating lifetime tests" (DHTOL) Messung der Ladungsansammlungen in GaN HEMTs mittels mikrosekunden-zeitaufgelöster StrommessungGenerierung von belastbaren...
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Villach, Österreich Infineon Technologies VollzeitAn einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professor*innen als auch durch engagierte...
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vor 2 Monaten
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vor 17 Stunden
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