Dissertation: Zeitaufgelöste Messung des durch einen Elektronenstrahl induzierten Stromes in Halbleiterbauelementen

vor 1 Monat


Villach, Österreich Infineon Technologies Vollzeit
An einer Universität promovieren und gleichzeitig Berufserfahrung sammeln - ein idealer Start für Ihre Karriere. Bringen Sie Ihre Forschung bei uns voran und profitieren Sie von unserem großen Netzwerk an Doktorand*innen und der Expertise einer Universität. Die Betreuung erfolgt sowohl durch Professor*innen als auch durch engagierte Infineon-Mitarbeiter*innen.Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:
Kennenlernen der  state-of-the-art Messmethoden am REM des KAI Einschulung in Halbleiterphysik sowie  SiC, GaN und Si-Technologieentwicklung Aufbau der elektronischen Messtechnik für TR-EBIC am REM des KAI Entwicklung einer Steuerungs- und Auswertesoftware für den Messaufbau Charakterisierung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer in Transistoren und an Metall-Halbleiter Kontakten Forschungsthemen:  Infineon Technologies Austria entwickelt in Villach Leistungstransistoren basierend auf den Halbleitermaterialen Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Silicium (Si). Für die Entwicklung zukünftiger Technologien ist es wichtig die örtliche Verteilung von Ladungsträger-Rekombinationszentren zu kontrollieren. Mit einem Rasterelektronenmikroskop können Ladungsträger mit hoher Ortsauflösung im Halbleiter generiert werden. Durch die zeitaufgelöste Messung des induzierten Stromes kann auf die Dichte und Verteilung der Rekombinationszentren geschlossen werden. Die Dissertation soll die Anwendbarkeit dieser Methodik auf Fragestellungen für die Technologieentwicklung untersuchen.

Unser universitärer Partner für diese Arbeit ist die TU Wien, mit Prof. Jürgen Smoliner (Institut für Festkörperelektronik der TU Wien), der die Betreuung übernimmt.

Beginn: (oder später)
Vollzeitbeschäftigung: Std/Woche
Dauer: 3 JahrePromovierende bei Infineon sind Forschungsenthusiasten,
Interesse die wissenschaftliche Forschung in Verbindung mit der Leidenschaft für die innovativen Produkte und Anwendungen von Infineon ist,
gerne in Kombination mit einer Infineon-Partnerhochschule in einem industriellen Umfeld arbeiten,
eine offene Kommunikation und den Beitrag eines internationalen Umfelds schätzen,
die damit ausgezeichnete Kandidatinnen/Kandidaten für eine weitere akademische oder industrielle Karriere nach Abschluss der Dissertation sind.

Als ideale Kandidatin / idealer Kandidat bringen Sie mit: Ein abgeschlossenes Masterstudium in Physik , oder einer vergleichbaren Fachrichtung Erfahrung auf mindestens einem der folgenden Gebiete:  Halbleiterphysik, Festkörperphysik, Messtechnik und Datenauswertung Analytische Fähigkeiten , Kreativität und die Bereitschaft zum interdisziplinären Arbeiten Eine ausgeprägte Eigeninitiative und Einsatzbereitschaft Sehr gute Kommunikationsfähigkeiten auf Deutsch und Englisch Bitte fügen Sie der Bewerbung die folgenden Dokumente bei: Ihr Lebenslauf Motivationsschreiben Kopie Ihres Masterabschlusses, falls bereits vorhanden Ansonsten: Kopie Ihres letzten Studienzeugnisses Diese Position unterliegt dem KV für Arbeiter und Angestellte der EEI
( Das Gehalt für diese Stelle beträgt EUR ,00 brutto (Vollzeitbasis).

Benefits

Coaching, mentoring networking possibilities Wide range of training offers & planning of career development International assignments Different career paths: Project Management, Technical Ladder, Management & Individual Contributor Flexible working conditions Home office options Part-time work possible (also during parental leave) Sabbatical Child care in Villach & Klagenfurt On-site social counselling and works doctor Health promotion programs On-site canteen Private insurance offers Wage payment in case of sick leave Corporate pension benefits Flexible transition into retirement Performance bonus Accessibility, access for wheelchairs

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    Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:Einschulung in Halbleiterphysik, SiC, GaN und Si-TechnologieentwicklungAufbau und Erweiterung einer Gate-Spannung - Drain-Strom-Regelungsschaltung zur Bestimmung der Einsatzspannung eines Si-Transistors innerhalb 100nsBewertung von Technologie- und Prozessänderungen von Si-Trench-LeistungstransistorenModellierung der...


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    Ihre Aufgaben im Rahmen der Dissertation:Einschulung in Halbleiterphysik, GaN, SiC, und Si-TechnologieentwicklungVerbesserung des bestehenden Aufbaus für "wafer-level dynamic high-temperature operating lifetime tests" (DHTOL) Messung der Ladungsansammlungen in GaN HEMTs mittels mikrosekunden-zeitaufgelöster StrommessungGenerierung von belastbaren...


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